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產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 200 V 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道,SUPERFET V,易驅動(dòng),TO247-3L 600 V,99 m,33 A
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A
封裝:D2PAK-7產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - 功率,單 N 溝道 40 V,0.92 m,300 A
封裝:5-DFN產(chǎn)品說(shuō)明:MOSFET - N 溝道屏蔽柵 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A
封裝:TO-263-3產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:汽車(chē) N 溝道增強模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道增強模式邏輯電平 40 V、最大 0.8 mΩ、360 A、STripFET F8 功率 MOSFET
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
封裝:PowerFLAT-4產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11
封裝:PG-TO247-4-11產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14
封裝:PG-TO247-4-14產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) PG-TO247-4-14
封裝:PG-TO247-4產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 202A(Tc) 750W(Tc) PG-TO247-4-11
封裝:PG-TO247-4產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 1200 V 22A(Tc) 133W(Tc) PG-TO247-4-14
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