供應,回收【Kingston】B1621XM2FDGVK-U 16Gbit 并聯(lián) SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4X 存儲器 IC
深圳市明佳達電子有限公司 供應,回收【Kingston】B1621XM2FDGVK-U 16Gbit 并聯(lián) SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4X 存儲器 ICB1621XM2FDGVK-U 產(chǎn)品規格: 芯片密度:8Gbits組織結構:- x 16 位: 64M 字 x 16 位 x 8 組- 一個(gè)封裝中包含 2 個(gè) 8Gb (x16) 部件(用于 16Gb)封裝:FBGA-…
深圳市明佳達電子有限公司 供應,回收【Kingston】B1621XM2FDGVK-U 16Gbit 并聯(lián) SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4X 存儲器 IC
B1621XM2FDGVK-U 產(chǎn)品規格:
芯片密度:8Gbits
組織結構:
- x 16 位: 64M 字 x 16 位 x 8 組
- 一個(gè)封裝中包含 2 個(gè) 8Gb (x16) 部件(用于 16Gb)
封裝:FBGA-200
供電電壓:
- VDD1 = 1.80V (1.70-1.95V)
- VDD2 = 1.10V (1.06-1.17V)
- VDDQ = 0.60V(0.57-0.65V)
數據傳輸速率 最大 4266Mbps 向后兼容
每個(gè)通道有八個(gè)內部組,可同時(shí)運行
突發(fā)長(cháng)度 (BL):16、32 和實(shí)時(shí)
- 通過(guò) MRS 啟用實(shí)時(shí)模式
可編程 RL(讀取延遲)和 WL(寫(xiě)入延遲)
預充電:每次突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)都可選擇自動(dòng)預充電
可編程驅動(dòng)器強度
刷新:自動(dòng)刷新、自刷新
刷新周期 8192 次/32 毫秒
- 平均刷新周期 3.9μs
工作溫度范圍 - TC= -25°C 至 +85°C
功能框圖:
如有需求請致電咨詢(xún)陳先生:
QQ:1668527835
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